Using the DS1859 with External

“摘要：本应用说明涉及将外部EEPROM添加到SFF-8472应用程序中，这些应用程序需要位于I²C*设备地址A0h的128字节以上的内存。简介DS1859是一种双数字电阻器，可根据EEPROM查找表（LUT）中编程的值，根据温度自动调节自身。其他功能包括五个模拟到数字通道（包括VCC和温度）和一个与SFF-8472光纤应用兼容的内存映射。本应用说明涉及将外部EEPROM添加到SFF-8472应用程序中，该应用程序在I²C设备地址A0h处需要超过128字节的内存。 DS1859默认内存配置默认情况下，DS1859响应两个I²C地址（图1）。它在I²C地址A0h处提供128字节的通用EEPROM存储器，称为辅助存储器。主设备地址（A2h）用于配置和访问其余芯片资源。主内存被划分为始终可访问的较低内存部分（前128字节）和用于访问从地址80h开始的多个内存表的较高内存部分。这些内存表由表select字节（地址7F，在较低的内存中）选择。图1.DS1859默认内存映射。使用DS1859添加外部EEPROM要在I²C地址A0h添加外部存储器，必须配置DS1859的现有辅助存储器，以便在读取或写入地址A0h时不会引起冲突。设置控制位ADEN=1（主设备，内存地址89h，表1）可防止DS1859响应A0h设备地址，并将DS1859的辅助内存映射到表0中主设备的上部内存中。完成此操作后，可将响应设备地址A0h的额外内存添加到模块中。除了在A0h设备地址添加的外部EEPROM外，客户还可以通过访问表0中主设备的上存储器来读取DS1859的辅助存储器。因此，如果在A0h设备地址添加256字节的存储器，则384字节的通用EEPROM将可用于应用程序。图2显示了通过在设备地址A0h处添加单独的256字节EEPROM创建的复合内存映射。图2.添加外部256字节EEPROM的内存映射。图3显示了为应用程序使用Atmel®AT24C02 256字节EEPROM所需的连接。所示的上拉电阻值适用于大多数应用，但最终应选择以确保满足I²C上升和下降时间规格。将所有地址输入接地至AT24C02将使其响应设备地址A0h。这也可以通过AT24C01完成，以向系统中添加额外的128字节EEPROM。这不适用于AT24Cxx产品系列的高密度版本，因为它们使用设备地址的最低有效位来指定256字节的内存块。对于包含256字节以上的EEPROM版本，这会导致与主设备地址（A2h）冲突。写保护信号可用于写保护外部存储器，并使DS1859的MPEN位能够写保护主设备地址。当写保护较低时，无论MPEN位如何，DS1859的主设备地址始终可访问。图3.数字接口连接图。结论DS1859可与外部EEPROM存储器一起用于SFF-8472应用，这些应用在设备地址A0h处需要128字节以上的内存。然后，应将ADEN位设置为“1”，以将DS1859的辅助存储器映射到表0中的主存储器地址“上层存储器”。完成此操作后，DS1859的128字节辅助存储器和附加EEPROM均可供通用。图3所示的电路图显示了使用Atmel AT24C02存储器添加额外256字节EEPROM存储器所需的连接。，技术专区中央处理器一级缓存与二级缓存深度分析 eMMC海量烧录困境，你真的知道吗? 隔离反激和非隔离美元应用设计方案肖特基势垒二极管选择及应用指南方案设计中如何运用Altium Designer拼板？"